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英特爾10nm設計規則初定EUV技術恐錯

发布时间:2019-11-09 00:55:27 编辑:笔名

英特尔10nm设计规则初定,EUV技术恐错过良机 - FPGA/CPLD - 电子工程

英特尔公司正在计划将目前的193nm浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点,此一计划预计在2013下半年实现同时,这家芯片业巨头也希望能在2015年下半年于10nm逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技术进行生产

但英特尔微影技术总监Sam Sivakumar指出,超紫外光(EUV)微影技术正面临缺乏关键里程碑的危机

尽管英特尔在距今4年前便已开始计划10nm节点,但该公司目前正在敲定相关的制程设计规则,而EUV则迟迟未能参与此一盛晏“EUV赶不及参与10nm节点设计规则的定义”Sivakumar说Sivakumar表示,若生产工具顺利在2012年下半年交货,那么,EUV技术仍然很可能被应用在该公司的10nm节点但即便如此,EUV技术的进度仍然落后

英特尔正在考虑两家公司的EUV技术工具:ASML和Nikon据报导,ASML公司即将为英特尔推出一款“预生产”的EUV微影工具ASML公司的这款工具名为NXE:3100,它采用Cymer公司的光源

而Nikon日本总部和研发组织Selete则已开发了EUV alpha工具今年或明年,ASML和Nikon应该都能推出成熟的EUV工具

尽管如此,对EUV技术而言,时间依然紧迫EUV是下一代微影(next-generation lithography, NGL)技术,原先预计在65nm时导入芯片生产但该技术一直被推迟,主要原因是缺乏光源能(power sources)、无缺陷光罩、阻抗和量测等基础技术

先进芯片制造商们仍然指望能将EUV技术用在量产上,以努力避免可怕且昂贵的双重曝光(double patterning)光学微影技术然而,除了朝双重曝光方向发展之外,芯片制造商们似乎别无选择专家认为,目前EUV主要瞄准16nm或更先进的节点

设计规则的规则

英特尔在45nm节点使用干式193nm微影在32纳米则首次使用193nm浸入式生产工具,这部份主要使用Nikon的设备 在22纳米,英特尔将继续使用193nm浸入式微影技术这家芯片巨头将在22nm节点的关键层同时使用ASML和Nkion的设备,预计2011下半年进入量产

而后在14nm,这家芯片制造商将继续使用193nm浸入式微影加上双重曝光技术,该公司称之为两次间距曝光(pitch splitting)在一些会议上,英特尔曾提及在14nm节点使用五倍曝光(quintuple patterning)该公司希望为14nm节点建立一条EUV试产线,但目前尚不清楚EUV技术所需的准备时间

英特尔已经确定其14nm节点的设计规则,有时甚至在产品量产前两年便制订完成“针对14nm的设计规则目前是确定的”Sivakumar说

在65纳米及以上制程,英特尔采用2D随机和复杂的布局设计芯片但在45nm时则很难再将2D随机布局微缩因此,在推进到45nm时,英特尔便转移到1D的单向、栅格式(gridded)设计规则,他说

针对10nm节点,英特尔希望在非关键层使用193nm浸入式技术,以及在更复杂和更精细的线切割步骤中使用EUV“在这些步骤中,EUV是我们的首要选择,”他说如果EUV尚未就绪,那么英特尔很可能会使用无光罩或193nm浸入式技术来处理线切割步骤

英特尔也已大致确立了其10nm设计规则,它将是基于1D单向、栅格式的设计但难题是:英特尔的10nm设计规则必须以EUV或是193nm浸入式方案其中一种为主,他表示

EUV显然赶不及英特尔的10nm节点设计规则定义时程了,他说据报导,英特尔已开始制定基于193nm浸入式和多重曝光(multiple-patterning)的设计规则

当EUV工具就绪,英特尔可能会回头重新定义设计规则因此,实际上EUV仍有可能用于10nm节点但若工具没有准备好,英特尔就必须寻求其他的选择该公司的10纳米设计规则将正式在2013年第一季抵定

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